转发 新款研磨液

SiC单晶是一种高硬度、高脆性的材料，加工难度极大，能否高效且高良率地加工出形貌良好、表面质量优良的衬底，对于SiC器件的研发具有至关重要的意义。CMP（机械化学抛光）作为衬底加工工序中非常重要的一个环节，借助抛光液的氧化腐蚀、微粒摩擦耦合实现晶圆的高去除速率和原子级的表面平整。为帮助SiC衬底企业降本增效，SiC衬底CMP工艺中既要充分考虑去除速率，又要充分考虑表面粗糙度、表面和亚表面损伤的要求，要避免表面划痕和较深的亚表面损伤。

基于此，博来纳润研发团队经过反复的产品打磨，开发出了一款氧化锰抛光液COPOL-431，使用这款产品对SiC衬底进行抛光，较好地平衡了抛光效率和衬底表面质量的要求，因此可以用于SiC衬底的精抛或者将粗抛和精抛合并为一步抛光，大幅简化SiC衬底的加工工艺，提升加工效率。不仅如此，COPOL-431的纳米氧化锰颗粒具有优异的悬浮性和流动性，可适用于大规模生产中的集中供液系统，大幅减少人力成本，提高生产效率。使用该款产品抛光后残留在晶圆表面的纳米颗粒更易于清洗和去除。

COPOL-431在干进干出一体机上的使用参数及相关抛光表现如下：



这款产品在干进干出一体抛光机上，Si面平均去除速率可达到4.51μm/h，C面的去除速率可高达18.49μm/h（如下图），衬底Si面的粗糙度Ra＜0.08nm，表面粗糙度控制在良好水平。



COPOL-431在36B抛光机上的使用参数及相关抛光表现如下：



这款产品在36B抛光机上当pH=2.7直接使用时，Si面平均去除速率可达到1.8μm/h，C面的去除速率可达到7.6μm/h（如下图）。如在pH=2.0时使用，效率则较pH=2.7时可提高10%-20%。    



作为酸性抛光液中的佼佼者，COPOL-431具有良好的抛光寿命，在36B抛光机上连续5个小时的循环抛光后，速率仍然维持在1.8μm/h以上。经碳化硅衬底客户端实测，COPOL-431抛光后衬底Si面的粗糙度Ra≤0.08nm，表面质量良好，且良品率高。总的来说，COPOL-431抛光液的化学作用比较强，建议配合博来纳润的耐腐蚀抛光垫NWS-85或NWS-95使用。