工艺开发工程师
35-45万/年
 长沙-岳麓区
 1年
 博士
 全职
 更新于01-26
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职位信息

岗位职责:
1、根据技术委员会研发路线图,开发新工艺;
2、根据工艺发展规划,开发新工艺;
3、支持TD/PIE完成新技术开发,推进工艺开发过程中的工艺、器件以及工艺与设计匹配度问题的解决;
4、参与解决新工艺产品化过程中的工艺问题,开展相关新工艺、新技术的调研;进行工艺参数调整与优化,缩短新产品开发周期;
5、负责研发工艺制程的优化,基于产品的特点优化工艺制程,提升产品质量与良率。
任职要求:
1. 博士学历,微电子、材料学、物理学、化学、电子科学与技术等专业;
2. 熟悉半导体器件物理基础知识,熟悉半导体工艺原理、工艺流程以及相关工艺模块,掌握工艺开发、变更方案及相关耗材的评估方法;
3. 熟练掌握工艺设备及其辅助设备的使用,熟练掌握相关测量设备的使用,熟练使用数据分析工具和方法;
4. 有Litho(黄光)/ETCH(刻蚀)/HT(高温炉管)/TF(薄膜)工艺中一项或多项经验者优先。
工作地址
 长兴路399号
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公司信息
湖南三安半导体有限责任公司是上市公司三安光电股份有限公司的全资子公司(独立核算),业务涵盖碳化硅、氮化镓化合物半导体功率芯片的研发、设计、制造、及服务。湖南三安项目总投资160亿,总占地面积1000亩,主要建设具有自主知识产权的衬底(碳化硅)、外延、芯片及封装产业生产基地,依托全产业链及大规模生产布局将使得公司节能芯片产品具有高性能、低成本、高可靠性等市场领先竞争优势。第三代半导体的研发及产业化项目包括长晶(SiC)——衬底制作(SiC)——外延生长——芯片制备——封装产业链,研发、生产及销售6吋SiC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SiC二极管外延、SiC MOSFET外延、SiC二极管芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET;大电流200V、增强型650V等代表性GaN功率器件三极管外延、芯片、GaN功率器件封装三极管。
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