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GaN外延研发工程师-H9194D

1-2万·15薪

重庆-沙坪坝区

无需经验

硕士

全职

更新于11-26

先聊聊

职位信息

工作职责：
1、根据G氮化镓器件外延结构设计进行外延生长工艺的研发；
2、参与MOCVD设备的Move in、二次配、安装和设备验收，在要求的时间内及时释放产能并保证新设备达到工艺要求；
3、针对氮化镓功率器件需要满足的电性和材料质量要求，负责新结构的 Recipe的开发，协助MOCVD设备工程师生产；
4、根据材料测试（HRXRD\AFM\PL\Hall\SIMS等）分析与器件的电性反馈，进行外延工艺的迭代优化；
5、负责GaN外延设备的国产化调研、demo、选型与国产化验证；
6、负责进行外延生长产生的数据、工艺技术文件等资料的整理、保管与定期归档工作；
7、协助进行相关的国内外专利的撰写与申请；
任职资格：
1、物理学、凝聚态物理、半导体材料、半导体光电子器件、微电子学与固体电子学等相关专业，硕士研究生及以上学历（接受应届生）；
2、有MOCVD使用及Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料生长经验，有硅上氮化镓生长经验优先考虑；
3、熟悉氮化镓相关的材料与器件测试（AFM, HRXRD, PL, SEM, TEM, SIMS, CV, Hall等）；
4、了解MOCVD生长原理、机台维护和操作，能进行设备的使用维护和工艺异常情况处理；
5、了解氮化镓功率器件工艺制作流程，器件表征方法及可靠性评价手段；
6、具备英语沟通交流与书写能力；
7、良好的学习能力、沟通能力、抗压能力以及团队合作精神GaN外延研发工程师
薪资面议

工作地址

重庆市沙坪坝区西永大道25号

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公司信息

功率器件事业群（Power Device Business Group，简称PDBG）是华润微电子旗下全面负责功率器件及模块的业务单元。PDBG运用以产品线为基础的业务组织模式，聚焦功率器件业务领域，通过提供自主品牌的高可靠性、高性能功率器件产品、模块和系统应用方案与服务，持续为客户创造价值。
PDBG旗下拥有CRMICRO、华晶、IPS等多个功率器件自主品牌，自主开发的SGT MOS、SJ MOS、SBD、FRD、IGBT工艺平台及相应模块和系统应用方案技术水平处于国内领先；与此同时，PDBG正在积极布局第三代半导体材料GaN、SiC等器件产品。公司产品面向消费电子、通信电子、工业电子、医疗电子、汽车电子等市场的电机、电池、电源三大应用领域，广泛应用于通用开关电源、手机快充、白色家电、电动车、电动园林工具、电焊机、UPS、变频器、充电桩、太阳能光伏以及工控和汽车电子等细分市场。
PDBG将秉承创业、创新的精神，致力于打造中国功率器件著名品牌。
功率器件事业群主要产品线：MOSFET、IGBT、BJT&DIODES、系统方案。
公司联系人及地址：
无锡：章***，电话：0510-81806051，邮箱：zp@hj.crmicro.com，地址：无锡市梁溪路14号
重庆：唐***，电话：023-89865115，邮箱：CRMIC_CQ_HR@cq.crmicro.com，地址：重庆市沙坪坝区西永大道25号

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