工作职责：
1.作为西部数据 NAND产品的DPPM（每百万个产品中的不良数比例）负责人；
2.在新产品设计研发及生产阶段进行深入的电学性故障分析。持续挖掘晶圆级测试和封装过程中的失效问题原因。根据失效分析结果创建分析报告，通过与全球研发部门（器件工程师、电路设计工程师、晶园厂产品工程师等）技术沟通合作制定并实施解决方案；
3.对各产品线的存储芯片进行质量管控，监管每百万个产品中的不良数比例；与工厂及器件部门进行协作，改进芯片的生产工艺流程，以提高芯片良率；
4.通过对故障根本原因的分析，研发并制定测试流程，制定screen/stress方法，并与产品测试工程师协作，制定详细测试计划并推动实施。
职位要求：
1. 电气工程、计算机工程、物理学、材料科学或其他相关技术领域的硕士或以上学历；
2. 深入了解电气故障分析方法；
3. 具有分析问题、诊断根本原因和采取纠正措施的能力；
4. 出色的数据分析技能，包括数据处理、统计分析和解释；
5. 积极性高，热衷于排除故障和解决复杂问题；
6. 对系统、F/W 工作原理、设备物理有基本了解者优先；
7. 良好的英语沟通能力