拓荆科技股份有限公司（简称“拓荆科技”或“公司”）成立于2010年4月，2022年4月20日在上海证券交易所科创板成功挂牌上市（股票代码：688072）。公司自成立以来，一直在高端半导体设备领域深耕，并专注于薄膜沉积设备的研发和产业化应用，形成了以 PECVD（等离子体增强化学气相沉积）、ALD（原子层沉积）、SACVD（次常压化学气相沉积）及HDPCVD（高密度等离子体增强化学气相沉积）为主的薄膜设备系列产品，在集成电路逻辑芯片、存储芯片制造及先进封装等领域得到广泛应用。此外，随着“后摩尔时代”的来临，面向新的技术趋势和市场需求，公司积极进军高端半导体设备的前沿技术领域，推出了应用于晶圆级三维集成领域的混合键合设备（Hybrid Bonding）系列产品。
经过十余年的创新发展，公司已成为国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD、SACVD、HDPCVD设备厂商，也是国内领先的ALD设备厂商。公司建成一支国际化、专业化的半导体设备研发技术团队，并坚持自主创新，构建了完善的知识产权体系，拥有多项国际先进的核心技术，设备性能及关键指标均达到国际同类设备水平。