工作职责：
1. 针对NAND存储器优化参数的发布进行晶圆级评估，确保多种NAND 产品线（如CSS/ESS/Apple/iNAND/ECB等）的器件优化参数顺利发布。
2.与Memory Health团队合作，评估器件参数调节与screen/stress是否完美匹配。
3.同时，另一个主要职责是分析影响良率的各种因素，哪些是主要由于器件参数调节设置造成的。
4.与US总部器件研发团队合作，推动应用于***高密度存储的闪存器的性能和可靠性的开发.
5. 与Memory System团队合作，如SSD, iNAND等的用户或单位，设计和开发系统级器件特性，提高系统级性能和可靠性。
6. 在未来的职业发展中，候选人将会成为团队的一部分，参与存储业务、技术研发以及工艺制造等环节的重要工作。
7. 与Process, Design, MH, Reliability 和System团队沟通协作，确保及时完成产品设备支持，质量检测以及产量。
职位要求：
1. 电气工程、应用物理、材料科学及其他相关学科硕士及以上学历。
2. 对半导体器件物理、工艺、可靠性以及电路设计有深入理解，有NAND 闪存器件物理相关知识更佳。
3. 熟悉C/C++/Java编程以及Perl/Python脚本为加分项。
4. 较强的独立分析问题、探究问题根本原因以及采取改正措施的能力。
5. 出色的数据分析能力，包括数据处理, 统计分析及数据理解。
6. 高度自我激励，热衷于排查故障并解决复杂问题。
7. 良好的英文沟通技能。
8. 做事要有责任心。