拓荆科技股份有限公司（以下简称“公司”）成立于2010年4月，2022年4月20日在上海证券交易所科创板成功挂牌上市（股票代码：688072）。自成立以来，公司始终坚持自主研发，目前已形成 PECVD（等离子体增强化学气相沉积）、ALD（原子层沉积）、SACVD（次常压化学气相沉积）、HDPCVD（高密度等离子体化学气相沉积）及流动性化学气相沉积（Flowable CVD）等薄膜设备产品系列，以及应用于三维集成领域的先进键合设备和配套的量检测设备产品系列，已广泛应用于国内集成电路逻辑芯片、存储芯片等制造领域。
经过十余年的创新发展，公司已建成一支国际化、专业化的半导体设备研发技术团队，并坚持自主创新，构建了完善的知识产权体系，拥有多项国际先进的核心技术，设备性能及关键指标均达到国际同类设备水平，是国内专用量产型PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD及三维集成领域设备产品的领军企业。
公司以“建立世界领先的半导体设备公司”为愿景，坚持以技术和产品创新驱动业务发展，通过持续加大研发投入，保持产品核心竞争力，凭借已有的技术、人才、经验及售后服务等优势，不断扩大公司业务规模。同时，面向市场技术的迭代需求，公司将持续提升设备性能，丰富设备种类，拓展技术应用领域，提高公司综合实力，实现高质量、稳健发展，为半导体产业发展做出更大的贡献。